能 超聲波+加熱+液體循環+溢流+冷凝降溫包
裝 工業纏繞薄膜超聲清洗機 1臺超聲發生器 1臺內槽尺寸 355×355×320 mm槽體質材 不銹鋼316超聲功率 600W超聲頻率 40KHz、80KHz、200KHz、270KHz
可切換加熱調整 0~60℃電器控制 PLC簡述半導體行業的原料多數都由電子器件和硅片組合而成的，因為半導體外形比比較復雜，孔內小，利用超聲波清洗機的高效和高清潔度，得益于其聲波在物質中傳達時產生的穿透性和空化沖擊疚，因而很容易將帶有復雜外形，內腔和細空清洗干凈，在超聲波影響下僅需兩三分鐘即可完成，其速度比傳統方法可提升幾倍，甚至幾十倍，清潔度亦達到到高標準，提升了對半導體的生產效率，更突出顯示了用其他處理方法很難達到或不可取代的結果LSA-MN12四頻率半導體超聲波清洗機，能夠有效消除硅片、晶片表面的有機物、顆粒、金屬雜質及石英、塑料等附件器皿的污染物，且不損壞晶片表面特性。按照不同清洗工藝配置相應的清洗單元，各部分有獨立控制，自由組合，設備結構緊湊，凈化占地少，造型美觀、實用，操作符合人機工程原理。2清洗方法普通的清洗方法一般不能達到孔內,而孔內芯料的反應生成物以及他污染物會在后序工藝中會產生反復污染。不論是利用有機溶劑或是清潔液清洗都容易引入新的污染源,但是利用超聲波清洗技術卻能實現無反復污染,并且能深入MCP孔內的作用。對不同材料及孔徑的MCP應采用頻率、聲強可調的超聲波進行實驗,以確定實際工藝參數。對孔徑6~12μmMCP的清洗,當媒液為水和酒精時,可以采用空化閾約1/3 W/cm2,聲強10~20 W/cm2,頻率20~120 kHz的超聲波進行清洗。表1是相同段不同板號的MCP使用不同頻率超聲波清洗后表觀及電性能測試結果。由檢測結果可見,對1μm以下的小顆粒污染物,應選用頻率40 kHz以上的超聲波進行清洗。3清洗溫度在硅片的清洗過程中，清潔液的溫度是一個主要因素。合適的清洗溫度可以加速油漬的消除，獲得非常好的清洗效果。當硅片浸到清潔液中，硅片上的油漬產生膨脹，油漬內部以及油漬與硅片之間的作用力減弱，溫度越高，油漬膨脹越大，這種作用力就越弱，表面活性劑分子越容易將油漬撬離硅片表面。同時，溫度的變化可導致膠束本身性質和被增溶物在膠束中溶解狀況發生改變。只有溫度接近表面活性劑溶液的濁點溫度時，增溶能力zui強，因而清潔液的溫度設定在60℃。4產品特性
1、一體式設計，緊湊，操控簡單；
2、采用雷士四頻超聲波裝置，對超聲波無損害；
3、配置過濾系統，有效節省水源；
4、清洗架特殊質材，避免產品刮花；
5、配置油水分離及過濾系統，提供清洗劑的使用率；
6、操作方便，上手快。，具有人工和自動轉換功能；
7、PLC全程式控制，自動連續步進式清洗、干燥；
8、冷凝管整槽設計，降低清洗使產品溫度。
